金属有机物化学气相沉积Metal Organic Chemical Vapor Deposition
，简称 MOCVD)是制备混淆半导体器件、金属及金属氧化物、金属氮化物薄膜质料的一种芯片外延手艺。MOCVD系统中
，晶体生长多在常压或低压状态下(10-100Torr)
，衬底温度为500～1200℃
，为了能够生长出纯净、界面险要、一致性好的薄膜质料
， MOCVD装备需要为化学反应提供合适的情形。加热系统是 MOCVD 装备的主要组成部分
，它能否快速、匀称的加热衬底
，直接影响着薄膜沉积的质量、厚度一致性
，以及芯片的性能。

MOCVD加热器的工况非？量蹋阂涣虑槭奔涑
，温度高、热流密度大和重复的升降温。电阻片是加热器的焦点部分
，在通以一定的电流后电阻片发热
，成为整个装备的热源。用于安排衬底的石墨盘外貌温度为1350K的时间
，电阻片的温度高达2000K
，升温历程中电阻加热器的温度可以抵达2500℃以上
，以是选用的质料必需有熔点高、高温强度好、化学稳固性高等特征。以生长 GaN 的 MOCVD 装备为例
，其最佳生长温度在 1000~1200℃ 左右。加热器发热元件的温度1500~2000℃ 左右。生长 GaN 的工艺中
，要求外延衬底快速升温升温速率抵达 3-10℃ /s)和降温。

凭证MOCVD装备的工艺要求
，加热圈的性能必需知足：1. 实现大尺寸石墨托盘的匀称加热
，有用面积比例只管笼罩整个盘面;2. 现升降温速率快、稳固时间短;3. 升降温动态历程中坚持温度匀称;4. 关于差别的气体流动情形
，都能实现匀称加热;5、在重复升降温使用历程中
，结构稳固可靠
，寿命长。

凭证MOCVD的事情特点
，选用金属电阻加热元件是最合理
，而凭证现实需要知足的温度条件
，仅有钨
，铼等少数难熔金属才华知足使用需求。

钨加热器件经高温使用爆发再结晶以后会变脆
，在受攻击或震惊的情形下极易断裂。而铼相关于钨具有更高的再结晶温度
，并且再结晶后的铼也不是脆性子料
，只是强度下降
，作为非承力的加热器件依然具备优异的事情能力
，具有最佳高温稳固性
，更高的抗蠕变强度。因此
，铼被用于制造MOCVD的加热器件
，综合使用性能和本钱思量
，是最适当的选择
，无其它质料可以替换。